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  • SG01D-18S德國(guó)Sglux紫外光電二極管0.50 mm² 探測(cè)器面
    德國(guó)Sglux紫外光電二極管0.50 mm² 探測(cè)器面

    德國(guó)Sglux紫外光電二極管0.50 mm² 探測(cè)器面 紫外線寬帶 (UVA+UVB+UVC) 0.50 mm² 探測(cè)器面積 扁平 TO18 封裝,密封,帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳 在 280 nm(峰值靈敏度)處進(jìn)行 10 μW/cm² 的照射,產(chǎn)生約 8 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片(通過(guò) PTB 檢測(cè))

    更新時(shí)間:2025-04-01型號(hào):SG01D-18S訪問(wèn)量:168
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  • SG01D-18德國(guó)Sglux紫外光電二極管0.50 mm² 探測(cè)器面
    德國(guó)Sglux紫外光電二極管0.50 mm² 探測(cè)器面

    德國(guó)Sglux紫外光電二極管0.50 mm² 探測(cè)器面 紫外線寬帶 (UVA+UVB+UVC) 0.50 mm² 探測(cè)器面積 TO18 封裝,密封,帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳 在 280 nm(峰值靈敏度)處進(jìn)行 10 μW/cm² 的照射,產(chǎn)生約 8 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片(通過(guò) PTB 檢測(cè))

    更新時(shí)間:2025-04-01型號(hào):SG01D-18訪問(wèn)量:119
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  • SG01M6H-5德國(guó)Sglux紫外光電二極管6H SiC 芯片
    德國(guó)Sglux紫外光電二極管6H SiC 芯片

    德國(guó)Sglux紫外光電二極管6H SiC 芯片 紫外線寬帶 (UVA+UVB+UVC) 具有擴(kuò)展 UVA 靈敏度的 6H SiC 芯片 0.20 mm² 探測(cè)器面積 扁平 TO5 封裝,密封,帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳 在 290 nm(峰值靈敏度)處進(jìn)行 10 mW/cm² 的照射,產(chǎn)生約 3200 nA 的電流

    更新時(shí)間:2025-04-01型號(hào):SG01M6H-5訪問(wèn)量:152
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  • SG01M-5Lens德國(guó)Sglux紫外光電二極管帶集中透鏡
    德國(guó)Sglux紫外光電二極管帶集中透鏡

    德國(guó)Sglux紫外光電二極管帶集中透鏡 紫外線寬帶 (UVA+UVB+UVC) 0.20 mm² 探測(cè)器面積 符合 EN298(火焰監(jiān)測(cè),包括 H2 燃燒器) 高 TO5 外殼,密封,帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳 帶集中透鏡 在 280 nm(峰值靈敏度)下 10 μW/cm² 的照射產(chǎn)生約 16 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片(通過(guò) PTB 檢測(cè))

    更新時(shí)間:2025-04-01型號(hào):SG01M-5Lens訪問(wèn)量:157
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  • SG01M-5德國(guó)Sglux紫外光電二極管扁平 TO5 封裝
    德國(guó)Sglux紫外光電二極管扁平 TO5 封裝

    德國(guó)Sglux紫外光電二極管扁平 TO5 封裝 紫外線寬帶 (UVA+UVB+UVC) 0.20 mm² 探測(cè)器面積 扁平 TO5 封裝,氣密密封,帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳,具有較大的開(kāi)啟角度 在 280 nm(峰值靈敏度)下進(jìn)行 10 mW/cm² 的照射可產(chǎn)生約 3200 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片(通過(guò) PTB 檢測(cè))

    更新時(shí)間:2025-04-01型號(hào):SG01M-5訪問(wèn)量:146
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  • SG01M-18德國(guó)Sglux紫外光電二極管0.20 mm² 探測(cè)器面
    德國(guó)Sglux紫外光電二極管0.20 mm² 探測(cè)器面

    德國(guó)Sglux紫外光電二極管0.20 mm² 探測(cè)器面 紫外線寬帶 (UVA+UVB+UVC) 0.20 mm² 探測(cè)器面積 TO18 封裝,密封,帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳 在 280 nm(峰值靈敏度)下進(jìn)行 10 mW/cm² 的照射可產(chǎn)生約 3200 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片(通過(guò) PTB 檢測(cè))

    更新時(shí)間:2025-04-01型號(hào):SG01M-18訪問(wèn)量:144
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  • SG01S-18D德國(guó)Sglux紫外光電二極管內(nèi)置擴(kuò)散器
    德國(guó)Sglux紫外光電二極管內(nèi)置擴(kuò)散器

    德國(guó)Sglux紫外光電二極管內(nèi)置擴(kuò)散器 紫外線寬帶 (UVA+UVB+UVC) 0.06 mm² 探測(cè)器面積 內(nèi)置擴(kuò)散器 TO18 封裝,密封,帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳 在 280 nm(峰值靈敏度)處以 10 mW/cm² 的照射產(chǎn)生約 123 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片(通過(guò) PTB 檢測(cè))

    更新時(shí)間:2025-04-01型號(hào):SG01S-18D訪問(wèn)量:127
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  • SG01S-5德國(guó)Sglux紫外光電二極管二引腳 TO5 封裝
    德國(guó)Sglux紫外光電二極管二引腳 TO5 封裝

    德國(guó)Sglux紫外光電二極管二引腳 TO5 封裝 紫外線寬帶 (UVA+UVB+UVC) 0.06 mm² 探測(cè)器面積 扁平 TO5 封裝,氣密密封,帶 1 個(gè)絕緣引腳和 1 個(gè)外殼引腳,具有較大的開(kāi)啟角度 在 280 nm(峰值靈敏度)處進(jìn)行 10 mW/cm² 的照射,產(chǎn)生約 960 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片(通過(guò) PTB 檢測(cè))

    更新時(shí)間:2025-04-01型號(hào):SG01S-5訪問(wèn)量:145
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